三星新一代3nm制程SF3將亮相：較4nm FinFET頻率提升22%
來源：桑間濮上網(wǎng)
時(shí)間：2025-12-10 09:49:55
5 月 8 日消息，星新2023 國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會將于 6 月 11 日至 16 日在日本京都舉行。將較官方現(xiàn)提前透露了一些將會在此次頂會上揭曉的亮相率提重慶外圍兼職主播【電話微信192=1819=1410提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)內(nèi)容。
除了技術(shù)演示外，星新VLSI 研討會還將包括演示會議、將較聯(lián)合焦點(diǎn)會議、亮相率提晚間小組討論、星新短期課程、將較研討會和特別論壇。亮相率提屆時(shí)還會有一些科技前沿的星新 CMOS 技術(shù)重點(diǎn)論文，例如“全球首個(gè)采用新型 MBCFET 技術(shù)的將較重慶外圍兼職主播【電話微信192=1819=1410提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá) GAA 3nm 工藝（SF3）”。
三星 3nm 技術(shù)之所以如此備受期待，亮相率提是星新因?yàn)樗鼘?shí)現(xiàn)從 FinFET 到 Gate-All-Around 晶體管架構(gòu)的轉(zhuǎn)變。據(jù)稱，將較SF3 相較 4nm FinFET 平臺實(shí)現(xiàn)了 22% 頻率提升、亮相率提34% 能效改進(jìn)、21% 面積微縮（PPA） 。
三星 SF3 技術(shù)是業(yè)界首款量產(chǎn) GAA 工藝的升級版，采用多橋通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）設(shè)計(jì)，可以為各種納米片寬度提供相當(dāng)不錯(cuò)的性能，在固定的標(biāo)準(zhǔn)單元高度下顯著提高了芯片級的功耗性能矩陣，從而超越 FinFET 平臺。
根據(jù)韓國媒體的說法，三星 2023-2024 年將以 3nm 生產(chǎn)為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進(jìn)版本 SF3P (3GAP+)，其生產(chǎn)良率初期可維持在 60-70% 的范圍內(nèi)，而且該公司還計(jì)劃于 2025-2026 年開始推出其 2 納米級別節(jié)點(diǎn)。
在三星與臺積電都進(jìn)入 3nm 制程的時(shí)代之后，未來 3nm 制程將會成為晶圓代工市場的主流。因此，預(yù)計(jì)到 2025 年之際，3nm 制程市場的產(chǎn)值將會高達(dá) 255 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1762.05 億元人民幣），超越 5nm 時(shí)預(yù)估的 193 億美元產(chǎn)值。
市場調(diào)查機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2022 年第三季，在全球晶圓代工市場中，臺積電仍以 53.4% 市場份額穩(wěn)居第一，排名第二的三星市場份額僅 16.4%。所以，在市場激烈的競爭下，也使得 3nm 制程將成為未來兩家公司主要競爭的關(guān)鍵。
除了技術(shù)演示外，星新VLSI 研討會還將包括演示會議、將較聯(lián)合焦點(diǎn)會議、亮相率提晚間小組討論、星新短期課程、將較研討會和特別論壇。亮相率提屆時(shí)還會有一些科技前沿的星新 CMOS 技術(shù)重點(diǎn)論文，例如“全球首個(gè)采用新型 MBCFET 技術(shù)的將較重慶外圍兼職主播【電話微信192=1819=1410提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá) GAA 3nm 工藝（SF3）”。
三星 3nm 技術(shù)之所以如此備受期待，亮相率提是星新因?yàn)樗鼘?shí)現(xiàn)從 FinFET 到 Gate-All-Around 晶體管架構(gòu)的轉(zhuǎn)變。據(jù)稱，將較SF3 相較 4nm FinFET 平臺實(shí)現(xiàn)了 22% 頻率提升、亮相率提34% 能效改進(jìn)、21% 面積微縮（PPA） 。
三星 SF3 技術(shù)是業(yè)界首款量產(chǎn) GAA 工藝的升級版，采用多橋通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）設(shè)計(jì)，可以為各種納米片寬度提供相當(dāng)不錯(cuò)的性能，在固定的標(biāo)準(zhǔn)單元高度下顯著提高了芯片級的功耗性能矩陣，從而超越 FinFET 平臺。
根據(jù)韓國媒體的說法，三星 2023-2024 年將以 3nm 生產(chǎn)為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進(jìn)版本 SF3P (3GAP+)，其生產(chǎn)良率初期可維持在 60-70% 的范圍內(nèi)，而且該公司還計(jì)劃于 2025-2026 年開始推出其 2 納米級別節(jié)點(diǎn)。
在三星與臺積電都進(jìn)入 3nm 制程的時(shí)代之后，未來 3nm 制程將會成為晶圓代工市場的主流。因此，預(yù)計(jì)到 2025 年之際，3nm 制程市場的產(chǎn)值將會高達(dá) 255 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1762.05 億元人民幣），超越 5nm 時(shí)預(yù)估的 193 億美元產(chǎn)值。
市場調(diào)查機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2022 年第三季，在全球晶圓代工市場中，臺積電仍以 53.4% 市場份額穩(wěn)居第一，排名第二的三星市場份額僅 16.4%。所以，在市場激烈的競爭下，也使得 3nm 制程將成為未來兩家公司主要競爭的關(guān)鍵。
